【CNMO科技消息】据外媒最新消息，三星正积极推进适用于移动设备的高带宽内存技术研发，旨在不显著增加空间占用和功耗负担的前提下，大幅提升设备算力与数据传输带宽，为更复杂的端侧AI推理任务提供硬件支持。
三星HBM
目前移动设备普遍采用的DRAM技术仍以铜线键合为主，其I/O端子数量通常在128至256之间，在提升带宽、降低信号损耗和控制发热方面存在明显局限。
为突破这一技术瓶颈，三星计划在智能手机与平板产品中引入超高纵横比铜柱配合扇出型晶圆级封装技术。该封装方案此前已在Exynos 2600等系统级芯片中得到应用，主要用于增强散热能力和提升持续负载下的性能表现。在此基础上，三星希望将原本应用于服务器领域的高带宽内存技术以更紧凑的形式移植到移动终端，为本地AI模型运行提供更高的内存带宽与数据吞吐能力。
技术资料显示，三星通过在垂直铜柱堆栈领域的持续研发，已能够在有限空间内采用阶梯式结构堆叠多层DRAM裸片，并利用铜柱填充层间空隙，从而在体积受限的移动设备中实现多层高带宽内存封装。与传统方案相比，三星已将垂直铜柱封装中铜柱的纵横比从原来的3至5比1提升至15至20比1，这一技术突破显著提高了整体带宽表现。
不过，高纵横比设计也带来了新的技术挑战。随着纵横比的提升，铜柱直径必须相应缩小，一旦直径低于10微米，铜柱可能出现弯曲甚至断裂，影响结构可靠性。为此，扇出型晶圆级封装技术通过将铜布线向外扩展，提供了额外的机械支撑，既提升了整体封装的稳定性，也扩大了可用I/O端子数量，进一步提升带宽，预计带宽增幅可达约30%。
目前尚不清楚三星为移动端开发的高带宽内存技术何时正式商用，但从产品规划推断，这一技术有望首批搭载在未来的Exynos 2800或Exynos 2900移动平台上。除三星外，苹果也被曝计划在未来iPhone产品中采用高带宽内存技术以改善端侧AI体验。
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